日本东京和加利福尼亚州戈利塔，2024 年 1 月 12 日 – 先进半导体解决方案的主要供应商瑞萨电子公司 (Renesas Electronics Corp.) 和稳健氮化镓 (GaN) 功率半导体领域的全球领导者 Transphorm, Inc. 今天宣布，他们已达成最终协议，根据该协议，瑞萨电子的子公司将以每股 5.10 美元的现金收购 Transphorm 普通股的所有流通股，较 Transphorm 于 2024 年 1 月 10 日的收盘价溢价约 35%，溢价约 56%较过去 12 个月的成交量加权平均价格高出约 78%，较过去 6 个月的成交量加权平均价格溢价约 78%。 此次交易对 Transphorm 的估值约为 3.39 亿美元。 此次收购将为瑞萨电子提供自主的 GaN 技术，这是下一代功率半导体的关键材料，从而将其业务范围扩大到电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电力转换等快速增长的市场和快速充电器/适配器。
Transphorm 首席执行官 Primit Parikh 博士和瑞萨电子首席执行官 Hidetoshi Shibata（照片：美国商业资讯）
作为碳中和的基石，对高效电力系统的需求正在不断增加。 为了应对这一趋势，整个行业正在向以碳化硅 (SiC) 和 GaN 为代表的宽带隙 (WBG) 材料过渡。 这些先进材料允许比传统硅基器件更广泛的电压和开关频率范围。 为了巩固这一势头，瑞萨电子宣布建立一条内部 SiC 生产线，并签署了为期 10 年的 SiC 晶圆供应协议。
瑞萨电子现在的目标是利用 Transphorm 在 GaN 方面的专业知识进一步扩展其 WBG 产品组合，GaN 是一种新兴材料，可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。 这些优势使客户的系统具有更高的效率、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。 因此，根据行业研究，GaN 的需求预计每年增长 50% 以上。 瑞萨电子将采用 Transphorm 的汽车级 GaN 技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的 X-in-1 动力总成解决方案，以及计算、能源、工业和消费应用。
瑞萨电子首席执行官 Hidetoshi Shibata 表示：“Transphorm 是一家独特的公司，由一支植根于 GaN 功率、源自加州大学圣巴巴拉分校的经验丰富的团队领导。” “Transphorm GaN 技术的加入增强了我们在 IGBT 和 SiC 领域的发展势头。 它将推动和扩大我们的电力产品组合，作为增长的关键支柱，使我们的客户能够完全选择他们的最佳电力解决方案。”
“结合瑞萨电子在全球的足迹、广泛的解决方案和客户关系，我们很高兴能为全行业采用宽带隙材料铺平道路，并为显着增长奠定基础。 Transphorm 联合创始人、总裁兼首席执行官 Primit Parikh 博士和联合创始人兼首席执行官 Umesh Mishra 博士表示：“这项交易还将使我们能够为客户提供进一步扩展的服务，并为我们的股东带来可观的即时现金价值。” Transphorm 首席技术官。 “此外，它将为我们优秀的团队提供一个强大的平台，以进一步发展 Transphorm 领先的 GaN 技术和产品。”
交易明细
Transphorm 董事会一致批准了有关本次交易的最终协议，并建议 Transphorm 股东采纳该最终协议并批准合并。 在签署最终协议的同时，持有 Transphorm 约 38.6% 已发行普通股的 KKR Phorm Investors LP 已与瑞萨电子达成惯例投票协议，投票赞成该交易。
该交易预计将于 2024 年下半年完成，具体取决于 Transphorm 股东的批准、所需的监管许可以及其他惯例成交条件的满足。
（备注）本新闻稿中提及的所有产品或服务名称均为其各自所有者的商标或注册商标。
关于瑞萨电子公司
瑞萨电子公司致力于打造一个更安全、更智能、更可持续的未来，技术让我们的生活变得更轻松。 作为全球领先的微控制器供应商，瑞萨电子结合了我们在嵌入式处理、模拟、电源和连接方面的专业知识，提供完整的半导体解决方案。 这些成功的组合加快了汽车、工业、基础设施和物联网应用的上市时间，使数十亿个互联的智能设备能够改善人们的工作和生活方式。
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关于 Transphorm, Inc.
Transphorm, Inc. 是 GaN 革命的全球领导者，为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性的 GaN 半导体。 Transphorm 拥有超过 1,000 项自有或许可专利的功率 GaN IP 产品组合，生产业界首款符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的高压 GaN 半导体器件。 Transphorm 的垂直集成设备业务模型允许在每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持。 Transphorm 的创新使电力电子器件突破了硅的限制，实现了超过 99% 的效率、提高了 50% 的功率密度以及降低了 20% 的系统成本。 Transphorm 总部位于加利福尼亚州戈利塔，并在日本会津和戈利塔设有制造工厂。
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